TGI0910-50
Многие производители RF обращаются к нитрид-галлиевым транзисторам (GaN) из-за более высокой мощности. Например, усилители высокомолекулярного транзистора GaN (HEMT) могут быть способны достичь значительно более высокой мощности усиления и выходной мощности, чем полевые транзисторы GaAs на сравнимой частоте. Целевые приложения для этого устройства включают радиолокационные системы и медицинские приложения, такие как онкология. В качестве продолжения этого устройства для спутниковых коммуникаций разрабатываются CEM и Ku-диапазоны GaN HEMT.
Все описание
Нашли дешевле?
Хочу в подарок
Trans JFET N-CH 50V 6000mA 3-Pin 7-AA04A
Отзывы
Загрузка отзывов...
Добавить отзыв